ANALYSIS OF YTTERBIUM ARSENIDE FILMS GROWN ON GAAS BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：41
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作者：
RICHTER, HJ
SMITH, RS
HERRES, N
SEELMANNEGGEBERT, M
WENNEKERS, P
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1063/1.100361
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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