SN-DOPED GAAS FILMS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:0
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作者
FUJII, T
SUZUKI, H
HIYAMIZU, S
机构
来源
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:121 / 130
页数:10
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