STATES IN GAP AND RECOMBINATION IN AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS

被引：823
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作者：
MOTT, NF
DAVIS, EA
STREET, RA
机构：
[1] UNIV CAMBRIDGE, CAVENDISH LAB, CAMBRIDGE, ENGLAND
[2] MAX PLANCK INST FESTKORPER FORSCH, STUTTGART, FED REP GER
来源：
PHILOSOPHICAL MAGAZINE | 1975年 / 32卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1080/14786437508221667
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：961 / 996
页数：36
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