FORMATION OF DEFECT COMPLEXES AS A RESULT OF STIMULATED DIFFUSION OF PHOSPHORUS IN SILICON

被引:0
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作者
GAPONOV, SV
KALYAGIN, MA
STRIKOVSKII, MD
机构
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1987年 / 21卷 / 09期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
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页码:993 / 996
页数:4
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