FAULT TOLERANCE IN N-MOS RANDOM-ACCESS MEMORIES WITH DYNAMIC REDUNDANCY METHODS

被引:1
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作者
NAIDU, RV
MAHAPATRA, S
机构
来源
MICROELECTRONICS AND RELIABILITY | 1988年 / 28卷 / 02期
关键词
D O I
10.1016/0026-2714(88)90350-2
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页数:8
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