PREVENTION OF CMOS LATCH-UP BY GOLD DOPING

被引:25
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作者
DAWES, WR [1 ]
DERBENWICK, GF [1 ]
机构
[1] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115
关键词
D O I
10.1109/TNS.1976.4328618
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:2027 / 2030
页数:4
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