NEW FIELD-EFFECT RESONANT TUNNELING TRANSISTOR - OBSERVATION OF OSCILLATORY TRANSCONDUCTANCE

被引:14
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作者
YANG, CH [1 ]
KAO, YC [1 ]
SHIH, HD [1 ]
机构
[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,CENT RES LABS,DALLAS,TX 75243
关键词
D O I
10.1063/1.101940
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:2742 / 2744
页数:3
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