THE RESONANT-TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR - A NEW NEGATIVE TRANSCONDUCTANCE DEVICE

被引:21
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作者
SEN, S
CAPASSO, F
BELTRAM, F
CHO, AY
机构
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1987.23149
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1768 / 1773
页数:6
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