SELECTIVE INSENSITIVITY OF A P-N JUNCTION IN DEEP-LYING ZINC LEVELS IN SILICON

被引:0
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作者
KORNILOV, BN
机构
来源
SOVIET PHYSICS-SOLID STATE | 1964年 / 5卷 / 11期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
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页码:2441 / 2442
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