MULTIPLE THERMAL-OXIDATION OF SILICON AND ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF SILICON-OXIDE FILMS AND SI-SIO2 BONDING LAYER

被引:2
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作者
KROPMAN, D [1 ]
LANGOVITS, P [1 ]
VINNAL, M [1 ]
MEYLER, B [1 ]
机构
[1] ACAD SCI ESSSR,CYBERNETICS INST,TALLIN,ESSSR
关键词
D O I
10.1016/0040-6090(76)90138-3
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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