SUBTHRESHOLD SLOPE FOR INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引:12
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作者
TROUTMAN, RR [1 ]
机构
[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,ESSEX JUNCTION,VT 05452
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1975.18269
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页数:3
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