Impedance characteristics of the semiconductor chip of an IMPATT diode with the abrupt p-n junction

被引:0
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作者
Gershenzon, EM
Levites, AA
Ponomarev, AF
Smetanin, AI
机构
来源
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA | 1997年 / 42卷 / 07期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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