6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制

被引：1

作者：

薛爱杰 ^{[1
]}

黄润华 ^{[1
]}

柏松 ^{[1
]}

刘奥 ^{[1
]}

栗锐 ^{[1
]}

机构：

[1] 南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室

来源：

微纳电子技术 | 2018年 / 55卷 / 03期

关键词：

4H-SiC; 结型势垒肖特基(JBS)二极管; 结终端技术; 浮空场限环; 4英寸外延;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2018.03.003

中图分类号：

TN311.7 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基(JBS)结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。

引用

页码：161 / 165 +177

页数：6

共 7 条

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