3300V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制

被引：2

作者：

彭朝阳 ^{[1
]}

白云 ^{[1
]}

申华军 ^{[1
]}

吴煜东 ^{[2
]}

高云斌 ^{[2
]}

刘新宇 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院微电子研究所

[2] 新型功率半导体器件国家重点实验室

来源：

控制与信息技术 | 2016年 / 05期

关键词：

击穿电压; 4H-SiC; 结势垒肖特基二极管;

D O I：

10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.200

中图分类号：

TN311.7 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

为满足轨道交通电力牵引应用对高压SiC二极管器件的需求,对4H-SiC器件有源区采用了不同JBS栅条参数设计,并通过TCAD仿真对比分析了栅条参数对器件性能的影响;器件终端结构采用经过优化的35个场限环结构设计;最后采用Ti作为肖特基金属,制备获得的3 300 V/15 A 4H-SiC JBS器件势垒高度约为1.19 e V、击穿电压高于3 300 V。这是国内首次报道的3 300 V/15 A规格SiC JBS器件产品。通过实验测得:器件的特征导通电阻为7.6;9 mΩ·cm;;室温下,反向偏压达到3 300 V时,器件的漏电流仅为0.3μA,雪崩击穿电压达到3 800 V。

引用

页码：46 / 50

页数：5

共 7 条

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