3300 V-10 A SiC肖特基二极管

被引：1

作者：

倪炜江 ^{[1
]}

机构：

[1] 泰科天润半导体科技(北京)有限公司

来源：

半导体技术 | 2014年 / 39卷 / 11期

关键词：

4H-SiC; 肖特基二极管; 高压; 电流密度; 击穿电压;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.005

中图分类号：

TN311.7 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试同一晶圆上的pn二极管显示,设计的场限环结终端击穿电压可以达到4 000 V,达到仿真结果的95%。分析发现肖特基二极管的漏电流主要由肖特基接触的热场电子发射产生,有源区的肖特基接触线宽直接影响器件的正向电流密度和反向漏电流。设计合适的肖特基接触宽度是实现高性能器件的关键。

引用

页码：822 / 825 +866

页数：5

共 5 条

[1] 600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究
李宇柱
倪炜江
李哲洋
李赟
陈辰
陈效建
[J]. 固体电子学研究与进展, 2010, 30 (02) : 292 - 296
[2] The Impact of Schottky Barrier Tunneling on SiC-JBS Performance[J] . Dolny Gary M.,Woodin Richard L.,Witt T.,Shovlin J..Materials Science Forum . 2009 (615)
[3] Commercial SiC device processing: Status and requirements with respect to SiC based power devices[J] . M. Treu,R. Rupp,P. Blaschitz,J. Hilsenbeck.Superlattices and Microstructures . 2006 (4)
[4] Leakage current in Ti/4H-SiC Schottky barrier diode[J] . K. Ohtsuka,Y. Matsuno,K. Kuroda,H. Sugimoto,Y. Tarui,M. Imaizumi,T. Takami.Physica B: Physics of Condensed Matter . 2005
[5] Tungsten, nickel, and molybdenum Schottky diodes with different edge termination[J] . R. Weiss,L. Frey,H. Ryssel.Applied Surface Science . 2001 (1)

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