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- [4] SiC and GaN wide bandgap semiconductor materials and devices[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1999, 43 (08) : 1459 - 1464Burk, AAO'Loughlin, MJSiergiej, RRAgarwal, AKSriram, SClarke, RCMacMillan, MFBalakrishna, VBrandt, CD
4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真
被引：3
|作者：
张海鹏
[1
,2
,3
]
齐瑞生
[1
]
王德君
[4
]
王勇
[3
]
机构：
[1] 杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室
[2] 大连理工大学,电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院
[3] 杭州汉安半导体有限公司
[4] 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院
来源：
关键词：
碳化硅;
功率器件;
电学特性;
器件仿真;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN303 [结构、器件];
学科分类号：
摘要：
4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用。
引用
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页数：3
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