EMPIRICAL TIGHT-BINDING BAND STRUCTURE OF WURTZITE SEMICONDUCTORS SiC, ZnSe, AND ZnTe.

被引:0
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作者
Tuncay, C. [1 ]
Tomak, M. [1 ]
机构
[1] Middle East Technical Univ, Dep of, Physics, Ankara, Turk, Middle East Technical Univ, Dep of Physics, Ankara, Turk
来源
关键词
D O I
暂无
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学科分类号
摘要
SILICON CARBIDE
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页码:543 / 547
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