NOVEL STACKED CAPACITOR CELL FOR 64MB DRAM

被引：0

作者：

WAKAMIYA, W

TANAKA, Y

KIMURA, H

MIYATAKE, H

SATOH, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：69 / 70

页数：2

共 50 条

[1] A 64MB DRAM
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[2] 64Mb DRAM
Moro'oka, Yoshikazu
Sugawara, Kazuyuki
Mitsubishi Electric Advance, 1994, 68 : 3 - 5
[3] 日本64Mb DRAM增产
心驰
每周电脑报, 1997, (02) : 11 - 11
[4] 德碁64MB DRAM月产破400万
每周电脑报, 1999, (15) : 21 - 21
[5] 韩国现代电子批量生产64Mb DRAM
一凡
微电子技术, 1995, (03) : 94 - 94
[6] Invention of stacked capacitor DRAM cell
Koyanagi, M
SEMICONDUCTOR SILICON 2002, VOLS 1 AND 2, 2002, 2002 (02): : 711 - 719
[7] A novel PMOS memory cell for flash memory of 64Mb and larger
不详
MITSUBISHI ELECTRIC ADVANCE, 1996, 75 : 40 - 40
[8] LITHOGRAPHY BEYOND 64MB
NOMURA, N
YAMASHITA, K
ENDO, M
SASAGO, M
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 1993, 21 (1-4) : 3 - 10
[9] 64MB OnlyDisk优盘
小范
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[10] Full integration and cell characteristics for 64Mb nonvolatile PRAM
Lee, SH
Hwang, YN
Lee, SY
Ryoo, KC
Ahn, SJ
Koo, HC
Jeong, CW
Kim, YT
Koh, GH
Jeong, GT
Jeong, HS
Kim, K
2004 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 2004, : 20 - 21