TRADEOFF BETWEEN THRESHOLD VOLTAGE AND BREAKDOWN IN HIGH-VOLTAGE DOUBLE-DIFFUSED MOS-TRANSISTORS

被引:10
|
作者
POCHA, MD [1 ]
PLUMMER, JD [1 ]
MEINDL, JD [1 ]
机构
[1] STANFORD UNIV,STANFORD ELECTR LABS,STANFORD,CA 94305
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1978.19273
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:1325 / 1327
页数:3
相关论文
共 50 条