PLASMA-ETCHING OF COMPOSITE SILICIDE GATE ELECTRODES

被引:0
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作者
WHITE, FR [1 ]
KOBURGER, CW [1 ]
GEIPEL, HJ [1 ]
HARMON, DL [1 ]
机构
[1] IBM CORP,DIV GEN TECHNOL,ESSEX JUNCTION,VT 05452
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页码:C375 / C375
页数:1
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