A NEW SCALING LENGTH FOR SEMICONDUCTOR-DEVICE MODELING

被引：0
|
作者：
DE, SS
GHOSH, AK
机构：
来源：
CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS | 1991年 / 69卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1139/p91-021
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
Through the use of an approximate solution of Poisson's equation, a new scaling length has been introduced that is appropriate to semiconductor-device modeling of surface problems or step-junction problems in regions where the fixed charges are dominant.
引用
收藏
页码：142 / 145
页数：4
相关论文
共 50 条
12345