TEMPERATURE-DEPENDENCE OF PHOTOCONDUCTIVITY IN P-TYPE COBALT DOPED SILICON

被引:0
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作者
WONG, DC [1 ]
PENCHINA, CM [1 ]
机构
[1] UNIV MASSACHUSETTS,AMHERST,MA 01003
来源
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
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