DIELECTRIC CAP DISORDERING OF GAAS/ALGAAS MULTIPLE-QUANTUM-WELL BY USING PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITED SIN CAPPING LAYER

被引：12

作者：

CHOI, WJ

LEE, S

KIM, Y

KIM, SK

LEE, JI

KANG, KN

PARK, N

PARK, HL

CHO, K

机构：

[1] YONSEI UNIV, DEPT PHYS, SEOUL 120749, SOUTH KOREA

[2] SOGANG UNIV, DEPT PHYS, SEOUL 100611, SOUTH KOREA

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF00462206

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1433 / 1435

页数：3