DETERMINATION OF THICKNESS AND REFRACTIVE-INDEX OF SIO2-FILMS ON SILICON-WAFERS USING AN ABBE REFRACTOMETER

被引：11
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作者：
LUKOSZ, W
PLISKA, P
机构：
[1] Optics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology Zürich
来源：
OPTICS COMMUNICATIONS | 1991年 / 85卷 / 5-6期
关键词：
D O I：
10.1016/0030-4018(91)90567-W
中图分类号：
O43 [光学];
学科分类号：
070207 ; 0803 ;
摘要：
We have demonstrated a simple yet accurate method determining the thickness and refractive index of SiO2 films on silicon substrates. The method requires only an Abbe refractometer which is used without any modification.
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