HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF SI-SIO2 INTERFACE

被引:0
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作者
KRIVANEK, OL [1 ]
SHENG, TT [1 ]
TSUI, DC [1 ]
机构
[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
来源
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
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