DEFECT TRAPPING OF ION-IMPLANTED DEUTERIUM IN NICKEL

被引:110
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作者
BESENBACHER, F [1 ]
BOTTIGER, J [1 ]
MYERS, SM [1 ]
机构
[1] SANDIA NATL LABS,ALBUQUERQUE,NM 87185
关键词
D O I
10.1063/1.331132
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:3536 / 3546
页数:11
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