共 50 条
COMPARISON OF OPERATION OF GAAS SINGLE- AND DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LASER-DIODES IN AN EXTERNAL CAVITY
被引:0
|作者:
ROSSI, JA
[1
]
STILLMAN, GE
[1
]
HSIEH, JJ
[1
]
HECKSCHE.H
[1
]
机构:
[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
关键词:
D O I:
10.1109/T-ED.1974.18032
中图分类号:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号:
0808 ;
0809 ;
摘要:
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