COMPARISON OF OPERATION OF GAAS SINGLE- AND DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LASER-DIODES IN AN EXTERNAL CAVITY

被引:0
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作者
ROSSI, JA [1 ]
STILLMAN, GE [1 ]
HSIEH, JJ [1 ]
HECKSCHE.H [1 ]
机构
[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1974.18032
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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