TRAP GENERATION IN OXIDIZED SILICON-WAFERS BY RAPID THERMAL ANNEALING

被引:0
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作者
VASUDEV, PK
HENDERSON, RC
CAPLAN, PJ
POINDEXTER, EH
机构
[1] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265
[2] ELECTR TECHNOL & DEVICES LAB,FT MONMOUTH,NJ 07703
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页码:C330 / C330
页数:1
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