CHARACTERIZATION OF ELECTRON TRAPS IN ION-IMPLANTED GAAS-MESFETS ON UNDOPED AND CR-DOPED LEC SEMI-INSULATING SUBSTRATES

被引：25
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作者：
SRIRAM, S [1 ]
DAS, MB [1 ]
机构：
[1] PENN STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,MAT RES LAB,UNIVERSITY PK,PA 16802
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1983年 / 30卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1983.21173
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：586 / 592
页数：7
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