Impedance characteristics of the semiconductor chip of an IMPATT diode with the abrupt p-n junction

被引：0
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作者：
Gershenzon, EM
Levites, AA
Ponomarev, AF
Smetanin, AI
机构：
来源：
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA | 1997年 / 42卷 / 07期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页数：6
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