Schottky barrier height and interfacial state density on oxide-GaAs interface

被引：0
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作者：
机构：
[1] Hwang, J.S.
[2] Chang, C.C.
[3] Chen, M.F.
[4] Chen, C.C.
[5] Lin, K.I.
[6] Tang, F.C.
[7] Hong, M.
[8] Kwo, J.
来源：
Hwang, J.S. (pjshwang@mail.ncku.edu.tw) | 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 94期
关键词：
D O I：
暂无
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摘要：
(Edited Abstract)
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