Raman scattering characterization of strain in GaAs heteroepitaxial films grown on sapphire and silicon-on-sapphire substrates

被引：0
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作者：
机构：
[1] Humphreys, T.P.
[2] Posthill, J.B.
[3] Das, K.
[4] Sukow, C.A.
[5] Nemanich, R.J.
[6] Parikh, N.R.
[7] Majeed, A.
来源：
Humphreys, T.P. | 1600年 / 28期
关键词：
Semiconducting Gallium Arsenide;
D O I：
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