Electrostatic discharge protection of low-voltage circuits by forward characteristics of wide bandgap semiconductor Schottky barrier diodes

被引：0

作者：

Tsujimoto, Yoshimasa ^{[1
]}

Tojo, Takatoshi ^{[1
]}

Tsukamoto, Naoyuki ^{[1
]}

机构：

[1] Engineering, Ceramic Materials & Devices, Otowa Electric Co., Ltd., Hyogo, Sanda,669-1313, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1600年 / 63卷 / 12期

关键词：

Schottky barrier diodes;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

共 32 条