A NEW ANALYTICAL MODEL FOR THE GAAS-MESFET IN THE SATURATION REGION

被引：10
|
作者：
POUVIL, P
GAUTIER, JL
PASQUET, D
机构：
[1] ENSEA, Cergy, Fr
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1988年 / 35卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1109/16.2540
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
11
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页码：1215 / 1222
页数：8
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