A COMPARISON OF THE THERMAL REDISTRIBUTION OF ARSENIC, ION-IMPLANTED INTO TITANIUM DISILICIDE FILMS FORMED ON SINGLE AND POLYCRYSTALLINE SILICON

被引:2
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作者
CAO, DX [1 ]
REEVES, GK [1 ]
HARRISON, HB [1 ]
机构
[1] GRIFFITH UNIV,DIV SCI & TECHNOL,BRISBANE 4111,AUSTRALIA
关键词
D O I
10.1063/1.344320
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:2208 / 2211
页数:4
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