IMPROVED MODEL FOR TRANSPORT OF MOBILE IONS IN METAL-SILICON DIOXIDE-SILICON STRUCTURES

被引:0
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作者
ROEDEL, RJ
VISWANATHAN, CR
LOO, RY
机构
[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
[2] UNIV CALIF LOS ANGELES,DEPT ELECT SCI & ENGN,LOS ANGELES,CA 90024
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
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页码:C294 / C294
页数:1
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