A NEW MNOS MEMORY-ELEMENT - THE TUNNEL-DIODE

被引：3
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作者：
RUTTER, P
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1981年 / 24卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(81)90200-8
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：689 / 694
页数：6
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