CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN SILICON BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY AFTER CMOS AND BIPOLAR PROCESSING

被引:0
|
作者
STEEDS, JW
JOHNSON, F
SIMPSON, MB
AUGUSTUS, PD
机构
关键词
D O I
暂无
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
收藏
页码:245 / 248
页数:4
相关论文
共 50 条