ANISOTROPY OF HIGH-VACUUM LOW-ENERGY PLASMA-ETCHING OF SILICON

被引:0
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作者
YAFAROV, RK
MEVLYUT, ST
TERENTEV, SA
机构
来源
ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI | 1993年 / 63卷 / 10期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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页码:175 / 181
页数:7
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