GROWTH-KINETICS OF MOLECULAR-BEAM EPITAXIALLY GROWN GAAS/AL0.3GA0.7AS (100) NORMAL AND INVERTED INTERFACES IN THIN SINGLE QUANTUM-WELL STRUCTURES EXAMINED VIA PHOTOLUMINESCENCE STUDIES

被引：17

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作者：

VOILLOT, F ^{[1
]}

MADHUKAR, A ^{[1
]}

TANG, WC ^{[1
]}

THOMSEN, M ^{[1
]}

KIM, JY ^{[1
]}

CHEN, P ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SO CALIF,DEPT MAT SCI,LOS ANGELES,CA 90089

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1987年 / 50卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.97659

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：194 / 196

页数：3

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共 21 条

[21] Mobility enhancement by reduced remote impurity scattering in a pseudomorphic ln0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As quantum well high electron mobility transistor structure with (411) A super-flat interfaces grown by molecular-beam epitaxy
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Kanzaki, K
Aoki, T
Kitada, T
Shimomura, S
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JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2001, 19 (04): : 1515 - 1518