INGAAS/INP MODULATION-DOPED HETEROSTRUCTURES GROWN BY LPE

被引:0
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作者
SU, YK [1 ]
DAI, TA [1 ]
机构
[1] NATL CHENG KUNG UNIV,INST ELECT & COMP ENGN,TAINAN,TAIWAN
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
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页码:C577 / C577
页数:1
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