EFFECTIVE-MASS NATURE OF DEEP-LEVEL POINT-DEFECT STATES IN SEMICONDUCTORS

被引：12
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作者：
PANTELIDES, ST
LIPARI, NO
BERNHOLC, J
机构：
来源：
SOLID STATE COMMUNICATIONS | 1980年 / 33卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1098(80)90314-2
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：1045 / 1049
页数：5
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