GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GAINASP-INP DOUBLE HETEROSTRUCTURE MATERIAL FOR STRIPE-GEOMETRY LASERS EMITTING NEAR 1.3MU-M

被引：0
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作者：
HERSEE, SD
CARTER, AC
GOODFELLOW, RC
HAWKINS, G
GRIFFITH, I
机构：
来源：
IEE JOURNAL ON SOLID-STATE AND ELECTRON DEVICES | 1979年 / 3卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1049/ij-ssed.1979.0036
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：179 / 185
页数：7
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