PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF GAINASP-INP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE WAFERS AND LASERS FOR THE 1.3MU-M WAVELENGTH RANGE

被引：0
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作者：
GOBEL, E
GOTTSMANN, H
HERZOG, HJ
MARSCHALL, P
SCHLOSSER, E
SCHURR, EA
机构：
来源：
IEE JOURNAL ON SOLID-STATE AND ELECTRON DEVICES | 1979年 / 3卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1049/ij-ssed.1979.0037
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：186 / 188
页数：3
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