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- [21] TRANSIENT HIGH-LEVEL MAJORITY AND MINORITY-CARRIER PHOTOCURRENTS IN P-TYPE SILICON SCHOTTKY-BARRIER DIODES .1. COMPARISON WITH ANALYTIC THEORY[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1976, 19 (07) : 653 - 655NORDE, HSEIBT, WJANNEY, R
SQUARE-LAW SILICON PUNCH-THROUGH DIODES AND THEIR APPLICATION AS HIGH-LEVEL PARABOLIC DETECTORS
被引：0
|作者：
DASCALU, D
机构：
来源：
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
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页码：401 / &
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