THE EFFECT OF COLLISIONAL BROADENING ON MONTE-CARLO SIMULATIONS OF HIGH-FIELD TRANSPORT IN SEMICONDUCTOR-DEVICES

被引：30
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作者：
CAPASSO, F
PEARSALL, TP
THORNBER, KK
机构：
来源：
ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1981.25439
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页数：3
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