ANALYSIS OF TEMPERATURE-DEPENDENT HALL CONDUCTIVITY IN SILICON INVERSION-LAYERS IN STRONG MAGNETIC-FIELDS BY A MOBILITY EDGE MODEL

被引：11
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作者：
KAWAJI, S
WAKABAYASHI, JI
MORIYAMA, J
机构：
来源：
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1981年 / 50卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1143/JPSJ.50.3839
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
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页码：3839 / 3840
页数：2
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