IMPURITY REDISTRIBUTION PROCESSES IN EPITAXIAL SILICON LAYERS

被引:30
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作者
JOYCE, BA
WEAVER, JC
MAULE, DJ
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2423370
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页码:1100 / &
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