ON THE THEORY OF RESONANCE RAMAN-SCATTERING IN HEAVILY DOPED DEGENERATE SEMICONDUCTORS

被引:0
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作者
QUANG, DN
ESSER, B
KEIPER, R
机构
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH | 1981年 / 107卷 / 02期
关键词
D O I
10.1002/pssb.2221070218
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页码:535 / 542
页数:8
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