LOW-PRESSURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF LOW INSITU PHOSPHORUS DOPED SILICON THIN-FILMS

被引：9
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作者：
SARRET, M
LIBA, A
BONNAUD, O
机构：
[1] Groupe de Microélectronique et Visualisation, Atelier n 1 du Centre Commun de Microélectronique de l'Ouest, Université de Rennes I-Campus de Beaulieu
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1991年 / 59卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1063/1.105280
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
In situ low phosphorus doped silicon films are deposited onto glass substrates by low-pressure chemical vapor deposition method. The deposition parameters, temperature, total pressure, and pure silane gas flow are, respectively, fixed at 550-degrees-C, 0.08 Torr, and 50 sccm. The varying deposition parameter is phosphine/silane mole ratio; when this ratio varies from 2 X 10(-6) to 4 X 10(-4), the phosphorus concentration and the resistivity after annealing, respectively, vary from 2 X 10(18) to 3 X 10(20) atoms cm-3 and from 1.5-OMEGA-cm to 2.5 X 10(-3)-OMEGA-cm.
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